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          電鍍錫球技術

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                 電鍍錫球技術是利用涂膠、黃光、電鍍及蝕刻制程等制作技術通過在芯片的焊墊上制作錫凸塊,然后再利用高溫將凸塊熔融,進行封裝,此技術可大幅縮小IC的體積,并具有高密度、低感應、低成本、散熱能力佳等優點。晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)一般只適用于在間距比較大焊墊上放置尺寸大的錫球,而電鍍錫球技術應用在制造微細間距及超薄封裝體厚度的小錫球方式,并已成功應用于倒裝的組裝中,體現了其優越性。


          Solder Bump StructurePl ThicknessUBM ThicknessOther

          1M

          (UBM+Solder Bump)

          NA8um Cu+Sn

          Min.Bumo Pitch:0.15mm

          Min.Ball Size:0.08mm

          Min.Ball Height:0.020mm

          Min.PI Opening:30um

          Min.Trace Line X Space:10X10UM


          1P1M

          (PI+UBM+Solder BUMP)

          5um8um Cu+Sn

          2P2M

          (1st PI+RDL+2ndPI+

            UBM+Solder Bump)


          1st PI 5um

          2nd PI 10um

          RDL:5um Cu UBM:8um Cu+Sn

          APPlication:

          Smart Card,VCM Driver,Switch,Audio& Video,EEPROM/Flash/SRAM,MEMS&Sensor,ucontrollers


          1457924437520371.png


          a. Standard Turnkey process: Min. BG thickness 200um, T/R shipment;


          1458272849948608.jpg


          b. Special process: Min. BG thickness 60um, Wafer ring shipment.


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